
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)是一种结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管(BJT)优点的复合型功率半导体器件。它在高电压、大电流的应用场景中表现出卓越的性能,广泛应用于变频器、新能源汽车、轨道交通、工业电机控制等领域。
IGBT由三个主要部分构成:栅极(Gate)、集电极(Collector)和发射极(Emitter)。其核心特点是通过栅极电压控制导通与关断,具备高输入阻抗和快速开关能力。当栅极施加正电压时,形成导电沟道,使电流从集电极流向发射极;撤去电压后,器件迅速关断,实现高效能量转换。
新能源汽车:IGBT是电动汽车驱动电机控制器的关键元件,负责将电池直流电转换为三相交流电以驱动电机。
光伏逆变器:在太阳能发电系统中,IGBT用于将直流输出转换为可并网的交流电。
工业变频器:实现对电机转速的精准控制,节能降耗。
随着碳中和目标推进,IGBT作为绿色能源技术的重要支撑,其市场需求持续增长。
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